Modèle de produit : | STB42N65M5 |
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Fabricant / marque : | STMicroelectronics |
La description : | MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4343 pcs |
Livret des spécifications | STB42N65M5.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | D2PAK |
Séries | MDmesh™ V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79 mOhm @ 16.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 190W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms | 497-8769-2 |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4650pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 33A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 33A (Tc) |