Modèle de produit : | STB10N60M2 |
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Fabricant / marque : | STMicroelectronics |
La description : | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 30237 pcs |
Livret des spécifications | STB10N60M2.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | D2PAK |
Séries | MDmesh™ II Plus |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 85W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms | 497-14528-2 STB10N60M2-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
Description détaillée | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Numéro de pièce de base | STB10N60 |