| Modèle de produit : | SSM6J511NU,LF |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description : | MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 249629 pcs |
| Livret des spécifications | SSM6J511NU,LF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 6-UDFNB (2x2) |
| Séries | U-MOSVII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 4A, 8V |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 6-WDFN Exposed Pad |
| Autres noms | SSM6J511NU,LF(B SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NULF SSM6J511NULFTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3350pF @ 6V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 12V |
| Description détaillée | P-Channel 12V 14A (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 14A (Ta) |
Toshiba Semiconductor and Storage
