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SQJB40EP-T1_GE3

Modèle de produit : SQJB40EP-T1_GE3
Fabricant / marque : Electro-Films (EFI) / Vishay
La description : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 71101 pcs
Livret des spécifications SQJB40EP-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 8A, 10V
Puissance - Max 34W
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte PowerPAK® SO-8 Dual
Autres noms SQJB40EP-T1_GE3CT
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 40V
Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)
SQJB40EP-T1_GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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