| Modèle de produit : | SQ3418AEEV-T1_GE3 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| La description : | MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 74981 pcs |
| Livret des spécifications | SQ3418AEEV-T1_GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 6-TSOP |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 4W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms | SQ3418AEEV-T1-GE3 SQ3418AEEV-T1-GE3-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 7.8A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7.8A (Tc) |
