| Modèle de produit : | SI8851EDB-T2-E1 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| La description : | MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 125829 pcs |
| Livret des spécifications | SI8851EDB-T2-E1.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | Power Micro Foot® (2.4x2) |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 660mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 30-XFBGA |
| Autres noms | SI8851EDB-T2-E1TR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 8V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 7.7A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount Power Micro Foot® (2.4x2) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7.7A (Ta) |
| Numéro de pièce de base | SI8851 |
