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SI8261ABD-C-ISR

Modèle de produit : SI8261ABD-C-ISR
Fabricant / marque : Energy Micro (Silicon Labs)
La description : DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 24541 pcs
Livret des spécifications SI8261ABD-C-ISR.pdf
Tension - Alimentation 9.4 V ~ 30 V
Tension - Isolement 5000Vrms
Tension - Forward (Vf) (Typ) 2.8V (Max)
La technologie Capacitive Coupling
Package composant fournisseur 6-SDIP
Séries Automotive, AEC-Q100
Rise / Fall Time (Typ) 5.5ns, 8.5ns
Distorsion de largeur d'impulsion (Max) 28ns
Délai de propagation tpLH / tpHL (Max) 60ns, 50ns
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Autres noms 336-4491-2
SI8261ABD-C-ISR-ND
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Nombre de canaux 1
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée 600mA Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP
Courant - Sortie crête 600mA
Courant - Sortie Haut, Bas 400mA, 600mA
Courant - DC Forward (If) (Max) 30mA
Immunité transitoire au mode commun (min.) 35kV/µs
Agréments CQC, CSA, UR, VDE
SI8261ABD-C-ISR
Energy Micro (Silicon Labs) Energy Micro (Silicon Labs) Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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