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SI7900AEDN-T1-E3

Modèle de produit : SI7900AEDN-T1-E3
Fabricant / marque : Electro-Films (EFI) / Vishay
La description : MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 41224 pcs
Livret des spécifications SI7900AEDN-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Puissance - Max 1.5W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual
Autres noms SI7900AEDN-T1-E3TR
SI7900AEDNT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 33 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 20V
Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A
Numéro de pièce de base SI7900
SI7900AEDN-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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