Modèle de produit : | SI7860ADP-T1-GE3 |
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Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description : | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5133 pcs |
Livret des spécifications | SI7860ADP-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 16A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |