| Modèle de produit : | SI7454CDP-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| La description : | MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5634 pcs |
| Livret des spécifications | SI7454CDP-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 |
| Autres noms | SI7454CDP-T1-GE3TR SI7454CDPT1GE3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 22A (Tc) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 22A (Tc) |
Electro-Films (EFI) / Vishay
