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SI7196DP-T1-E3

Modèle de produit : SI7196DP-T1-E3
Fabricant / marque : Electro-Films (EFI) / Vishay
La description : MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5147 pcs
Livret des spécifications SI7196DP-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8
Séries WFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max) 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SO-8
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1577pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 16A (Tc) 5W (Ta), 41.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)
SI7196DP-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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