| Modèle de produit : | SI5920DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| La description : | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4349 pcs |
| Livret des spécifications | SI5920DC-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Puissance - Max | 3.12W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead |
| Autres noms | SI5920DC-T1-GE3TR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 4V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 8V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A |
| Numéro de pièce de base | SI5920 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
