Modèle de produit : | SI5513CDC-T1-GE3 |
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Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description : | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 144369 pcs |
Livret des spécifications | SI5513CDC-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Package composant fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Puissance - Max | 3.1W |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead |
Autres noms | SI5513CDC-T1-GE3TR SI5513CDCT1GE3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 285pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 5V |
type de FET | N and P-Channel |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A, 3.7A |
Numéro de pièce de base | SI5513 |