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SI4554DY-T1-GE3

Modèle de produit : SI4554DY-T1-GE3
Fabricant / marque : Electro-Films (EFI) / Vishay
La description : MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 94349 pcs
Livret des spécifications SI4554DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 6.8A, 10V
Puissance - Max 3.1W, 3.2W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms Q6600094
SI4554DY-T1-GE3-ND
SI4554DY-T1-GE3TR
T2178494
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 40V
Description détaillée Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A
Electro-Films (EFI) / Vishay Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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