| Modèle de produit : | SCT3120ALGC11 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
| La description : | MOSFET NCH 650V 21A TO247N |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5101 pcs |
| Livret des spécifications | 1.SCT3120ALGC11.pdf2.SCT3120ALGC11.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Package composant fournisseur | TO-247N |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 6.7A, 18V |
| Dissipation de puissance (max) | 103W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 500V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 18V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 18V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) |
LAPIS Semiconductor
