Modèle de produit : | S16JR |
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Fabricant / marque : | GeneSiC Semiconductor |
La description : | DIODE GEN REV 600V 16A DO203AA |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 6955 pcs |
Livret des spécifications | 1.S16JR.pdf2.S16JR.pdf |
Tension - Inverse de crête (max) | Standard, Reverse Polarity |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 16A |
Tension - Ventilation | - |
Séries | - |
État RoHS | Bulk |
Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Résistance @ Si, F | - |
Polarisation | DO-203AA, DO-4, Stud |
Autres noms | S16JRGN |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
Référence fabricant | S16JR |
Description élargie | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 16A Chassis, Stud Mount |
Configuration diode | 10µA @ 50V |
La description | DIODE GEN REV 600V 16A DO203AA |
Courant - fuite, inverse à Vr | 1.1V @ 16A |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 600V |
Capacité à Vr, F | -65°C ~ 175°C |