| Modèle de produit : | RS1BL R3G |
|---|---|
| Fabricant / marque : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| La description : | DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 630075 pcs |
| Livret des spécifications | RS1BL R3G.pdf |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.3V @ 800mA |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 100V |
| Package composant fournisseur | Sub SMA |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 150ns |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | DO-219AB |
| Autres noms | RS1BL R3G-ND RS1BLR3G |
| Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 25 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode | Standard |
| Description détaillée | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 5µA @ 100V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 800mA |
| Capacité à Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
TSC (Taiwan Semiconductor)
