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RN2702TE85LF

Modèle de produit : RN2702TE85LF
Fabricant / marque : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5030 pcs
Livret des spécifications RN2702TE85LF.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Package composant fournisseur USV
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Autres noms RN2702(TE85L,F)
RN2702TE85LFTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 200MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
RN2702TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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