| Modèle de produit : | RN2413TE85LF |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description : | TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 993809 pcs |
| Livret des spécifications | RN2413TE85LF.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | S-Mini |
| Séries | - |
| Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
| Puissance - Max | 200mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms | RN2413(TE85L,F) RN2413TE85LF-ND RN2413TE85LFTR |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 11 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 200MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
