| Modèle de produit : | RN2112ACT(TPL3) |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description : | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 613935 pcs |
| Livret des spécifications | RN2112ACT(TPL3).pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 80mA |
| Tension - Ventilation | CST3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 50V |
| Séries | - |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | - |
| Puissance - Max | 100mW |
| Polarisation | SC-101, SOT-883 |
| Autres noms | RN2112ACT(TPL3)TR |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | RN2112ACT(TPL3) |
| Fréquence - Transition | 120 @ 1mA, 5V |
| Description élargie | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
| La description | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | PNP - Pre-Biased |
Toshiba Semiconductor and Storage
