Modèle de produit : | RN2109CT(TPL3) |
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Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description : | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5209 pcs |
Livret des spécifications | RN2109CT(TPL3).pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | CST3 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Puissance - Max | 50mW |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | SC-101, SOT-883 |
Autres noms | RN2109CT(TPL3)DKR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 50mA |