| Modèle de produit : | RN1909FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 390171 pcs |
| Livret des spécifications | RN1909FE(TE85L,F).pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur | ES6 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
| Puissance - Max | 100mW |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms | RN1909FE(TE85LF)CT |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
