Modèle de produit : | RN1441ATE85LF |
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Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description : | TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 539824 pcs |
Livret des spécifications | RN1441ATE85LF.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | S-Mini |
Séries | - |
Résistance - Base (R1) | 5.6 kOhms |
Puissance - Max | 200mW |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms | RN1441ATE85LFCT |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 30MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 4mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 300mA |