| Modèle de produit : | RN1421TE85LF |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description : | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 367397 pcs |
| Livret des spécifications | RN1421TE85LF.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 2mA, 50mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | S-Mini |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 1 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
| Puissance - Max | 200mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms | RN1421(TE85L,F) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 11 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 300MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 1V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 800mA |
| Numéro de pièce de base | RN142* |
