Modèle de produit : | RB098BM100FHTL |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 83680 pcs |
Livret des spécifications | 1.RB098BM100FHTL.pdf2.RB098BM100FHTL.pdf |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 770mV @ 3A |
Tension - inverse (Vr) (max) | 100V |
Package composant fournisseur | TO-252 |
La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Séries | Automotive, AEC-Q101 |
Temps de recouvrement inverse (trr) | 11.4ns |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms | RB098BM100FHTLTR |
Température d'utilisation - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type de diode | Schottky |
Configuration diode | 1 Pair Common Cathode |
Description détaillée | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Courant - fuite, inverse à Vr | 3µA @ 100V |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 6A |