Modèle de produit : | QSH29TR |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 96925 pcs |
Livret des spécifications | 1.QSH29TR.pdf2.QSH29TR.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 70V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 100mA |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | TSMT6 (SC-95) |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 1.25W |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 70V 500mA 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 200mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |
Numéro de pièce de base | QSH29 |