Modèle de produit : | PQMB11Z |
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Fabricant / marque : | Nexperia |
La description : | TRANS PNP/PNP RET 6DFN |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 962149 pcs |
Livret des spécifications | PQMB11Z.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Transistor Type | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | DFN1010B-6 |
Séries | Automotive, AEC-Q101 |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 230mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 6-XFDFN Exposed Pad |
Autres noms | 1727-2708-2 568-13229-2 568-13229-2-ND 934069743147 PQMB11Z-ND |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 180MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1µA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |