| Modèle de produit : | PHB95NQ04LT,118 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | NXP Semiconductors / Freescale |
| La description : | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4058 pcs |
| Livret des spécifications | PHB95NQ04LT,118.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±15V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D2PAK |
| Séries | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 157W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | 934058539118 PHB95NQ04LT /T3 PHB95NQ04LT /T3-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 32.7nC @ 5V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Description détaillée | N-Channel 40V 75A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
NXP Semiconductors / Freescale
