Modèle de produit : | PEMB30,115 |
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Fabricant / marque : | Nexperia |
La description : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 567009 pcs |
Livret des spécifications | PEMB30,115.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | SOT-666 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Puissance - Max | 300mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
Autres noms | 934059927115 PEMB30 T/R PEMB30 T/R-ND |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 13 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1µA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | MB30 |