Modèle de produit : | PDTD113EK,115 |
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Fabricant / marque : | NXP Semiconductors / Freescale |
La description : | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4318 pcs |
Livret des spécifications | PDTD113EK,115.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | SMT3; MPAK |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 1 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Puissance - Max | 250mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms | 934058965115 PDTD113EK T/R PDTD113EK T/R-ND |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |
Numéro de pièce de base | PDTD113 |