| Modèle de produit : | PDTC115TS,126 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | NXP Semiconductors / Freescale |
| La description : | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5218 pcs |
| Livret des spécifications | PDTC115TS,126.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | TO-92-3 |
| Séries | - |
| Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
| Puissance - Max | 500mW |
| Emballage | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Autres noms | 934058784126 PDTC115TS AMO PDTC115TS AMO-ND |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | PDTC115 |
