| Modèle de produit : | PBRP123YS,126 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | NXP Semiconductors / Freescale |
| La description : | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4465 pcs |
| Livret des spécifications | |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | TO-92-3 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Puissance - Max | 500mW |
| Emballage | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Autres noms | 934059139126 PBRP123YS AMO PBRP123YS AMO-ND |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 800mA |
| Numéro de pièce de base | PBRP123 |
