| Modèle de produit : | PBRN113ZS,126 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | NXP Semiconductors / Freescale |
| La description : | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5414 pcs |
| Livret des spécifications | PBRN113ZS,126.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | TO-92-3 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
| Puissance - Max | 700mW |
| Emballage | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Autres noms | 934059136126 PBRN113ZS AMO PBRN113ZS AMO-ND |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 300mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 800mA |
| Numéro de pièce de base | PBRN113 |
