| Modèle de produit : | NVMFS6H800NT1G |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | TRENCH 8 80V NFET |
| État RoHS : | |
| Quantité disponible | 21340 pcs |
| Livret des spécifications | NVMFS6H800NT1G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 330µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Séries | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Autres noms | NVMFS6H800NT1G-ND NVMFS6H800NT1GOSTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks |
| Statut sans plomb | Lead free |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5530pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Description détaillée | N-Channel 80V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 28A (Ta), 203A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
