Modèle de produit : | NTZD3155CT1G |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 267941 pcs |
Livret des spécifications | NTZD3155CT1G.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Package composant fournisseur | SOT-563 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
Puissance - Max | 250mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
Autres noms | NTZD3155CT1GOSTR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 46 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
type de FET | N and P-Channel |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 540mA, 430mA |
Numéro de pièce de base | NTZD3155C |