| Modèle de produit : | NTP5411NG |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5615 pcs |
| Livret des spécifications | NTP5411NG.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220AB |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 40A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 166W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 80A (Tc) 166W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
