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NTF5P03T3G

Modèle de produit : NTF5P03T3G
Fabricant / marque : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 129626 pcs
Livret des spécifications NTF5P03T3G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-223
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 5.2A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA
Autres noms NTF5P03T3GOS
NTF5P03T3GOS-ND
NTF5P03T3GOSTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 34 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée P-Channel 30V 3.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta)
NTF5P03T3G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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