| Modèle de produit : | NSVMUN2233T1G |
|---|---|
| Fabricant / marque : | ON Semiconductor |
| La description : | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 648430 pcs |
| Livret des spécifications | NSVMUN2233T1G.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 100mA |
| Tension - Ventilation | SC-59-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 50V |
| Séries | - |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 4.7k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | - |
| Puissance - Max | 230mW |
| Polarisation | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 47k |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Référence fabricant | NSVMUN2233T1G |
| Fréquence - Transition | 80 @ 5mA, 10V |
| Description élargie | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3 |
| La description | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500nA |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | NPN - Pre-Biased |
ON Semiconductor
