Modèle de produit : | NSVIMD10AMT1G |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | SURF MT BIASED RES XSTR |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 368414 pcs |
Livret des spécifications | NSVIMD10AMT1G.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | SC-74R |
Séries | Automotive, AEC-Q101 |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 13 kOhms, 130 Ohms |
Puissance - Max | 285mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Autres noms | NSVIMD10AMT1G-ND NSVIMD10AMT1GOSTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 285mW Surface Mount SC-74R |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |