| Modèle de produit : | NSV9435T1G |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 68883 pcs |
| Livret des spécifications | NSV9435T1G.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | SOT-223 (TO-261) |
| Séries | - |
| Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
| Puissance - Max | 720mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 110MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 3A 110MHz 720mW Surface Mount SOT-223 (TO-261) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 800mA, 1V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 3A |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
