Modèle de produit : |
NSTB1002DXV5T1 |
Fabricant / marque : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : |
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55 |
État RoHS : |
Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
Quantité disponible |
5283 pcs |
Livret des spécifications |
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
50V, 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Transistor Type |
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Package composant fournisseur |
SOT-553 |
Séries |
- |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) |
47 kOhms |
Résistance - Base (R1) |
47 kOhms |
Puissance - Max |
500mW |
Emballage |
Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte |
SOT-553 |
Type de montage |
Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
Fréquence - Transition |
250MHz |
Description détaillée |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 200mA 250MHz 500mW Surface Mount SOT-553 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) |
500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) |
100mA, 200mA |