Modèle de produit : |
NSM21356DW6T1G |
Fabricant / marque : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : |
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 |
État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible |
5633 pcs |
Livret des spécifications |
NSM21356DW6T1G.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
50V, 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
Transistor Type |
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Package composant fournisseur |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Séries |
- |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) |
47 kOhms |
Résistance - Base (R1) |
47 kOhms |
Puissance - Max |
230mW |
Emballage |
Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Type de montage |
Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition |
- |
Description détaillée |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) |
500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) |
100mA |