| Modèle de produit : | NSBC114YPDXV6T1 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| État RoHS : | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5490 pcs |
| Livret des spécifications | NSBC114YPDXV6T1.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur | SOT-563 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
| Puissance - Max | 500mW |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms | NSBC114YPDXV6OSCT |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | NSBC1* |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
