| Modèle de produit : |
NSB8MT-E3/81 |
| Fabricant / marque : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
| La description : |
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB |
| État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible |
35403 pcs |
| Livret des spécifications |
1.NSB8MT-E3/81.pdf2.NSB8MT-E3/81.pdf |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si |
1.1V @ 8A |
| Tension - inverse (Vr) (max) |
1000V |
| Package composant fournisseur |
TO-263AB |
| La vitesse |
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries |
- |
| Emballage |
Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms |
NSB8MT-E3/81GICT |
| Température d'utilisation - Jonction |
-55°C ~ 150°C |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant |
32 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode |
Standard |
| Description détaillée |
Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-263AB |
| Courant - fuite, inverse à Vr |
10µA @ 1000V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) |
8A |
| Capacité à Vr, F |
55pF @ 4V, 1MHz |
| Numéro de pièce de base |
NSB8M |
Electro-Films (EFI) / Vishay
