Modèle de produit : | NCV5183DR2G |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 29655 pcs |
Livret des spécifications | NCV5183DR2G.pdf |
Tension - Alimentation | 9 V ~ 18 V |
Package composant fournisseur | 8-SOIC |
Séries | Automotive, AEC-Q100 |
Rise / Fall Time (Typ) | 12ns, 12ns |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | NCV5183DR2GOSTR |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Nombre de conducteurs | 2 |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 26 Weeks |
Tension logique - VIL, VIH | 1.2V, 2.5V |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type d'entrée | Non-Inverting |
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) | 600V |
Type de porte | N-Channel MOSFET |
Configuration pilotée | Half-Bridge |
Description détaillée | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
Current - Peak Output (Source, Évier) | 4.3A, 4.3A |
courant de charge | Independent |