| Modèle de produit : | MURTA500120R |
|---|---|
| Fabricant / marque : | GeneSiC Semiconductor |
| La description : | DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 480 pcs |
| Livret des spécifications | MURTA500120R.pdf |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 2.6V @ 250A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 1200V |
| Package composant fournisseur | Three Tower |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | Three Tower |
| Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode | Standard |
| Configuration diode | 1 Pair Common Anode |
| Description détaillée | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 250A Chassis Mount Three Tower |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 25µA @ 1200V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 250A |
GeneSiC Semiconductor
