| Modèle de produit : | MUN5115DW1T1G |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 637850 pcs |
| Livret des spécifications | MUN5115DW1T1G.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
| Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
| Puissance - Max | 250mW |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Autres noms | MUN5115DW1T1GOSCT |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 40 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | MUN51**DW1T |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
