| Modèle de produit : | MUN5113DW1T1G |
|---|---|
| Fabricant / marque : | ON Semiconductor |
| La description : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 1001518 pcs |
| Livret des spécifications | MUN5113DW1T1G.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 100mA |
| Tension - Ventilation | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 50V |
| Séries | - |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | - |
| Puissance - Max | 250mW |
| Polarisation | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Autres noms | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 47k |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Référence fabricant | MUN5113DW1T1G |
| Fréquence - Transition | 80 @ 5mA, 10V |
| Description élargie | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| La description | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500nA |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
ON Semiconductor
