| Modèle de produit : | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Micron Technology |
| La description : | IC DRAM 16G 800MHZ FBGA |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 1520 pcs |
| Livret des spécifications | |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Tension - Alimentation | 1.2V |
| La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Séries | - |
| Autres noms | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B-ND MT52L256M64D2QB-125XTES:B |
| Température de fonctionnement | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
| Interface mémoire | - |
| Format de mémoire | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (256M x 64) 800MHz |
| Fréquence d'horloge | 800MHz |
