Modèle de produit : | MSRTA60060(A) |
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Fabricant / marque : | GeneSiC Semiconductor |
La description : | DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 342 pcs |
Livret des spécifications | 1.MSRTA60060(A).pdf2.MSRTA60060(A).pdf |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.2V @ 600A |
Tension - inverse (Vr) (max) | 600V |
Package composant fournisseur | Three Tower |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Séries | - |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | Three Tower |
Autres noms | MSRTA60060(A)GN MSRTA60060A |
Température d'utilisation - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type de diode | Standard |
Configuration diode | 1 Pair Common Cathode |
Description détaillée | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 600A (DC) Chassis Mount Three Tower |
Courant - fuite, inverse à Vr | 25µA @ 600V |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 600A (DC) |